檢測內(nèi)容

半導(dǎo)體探測檢測報(bào)告如何辦理？檢測項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)有哪些？百檢第三方檢測機(jī)構(gòu)，嚴(yán)格按照半導(dǎo)體探測檢測相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測試和評(píng)估。做檢測，找百檢。我們只做真實(shí)檢測。

涉及半導(dǎo)體探測的標(biāo)準(zhǔn)有14條。

國際標(biāo)準(zhǔn)分類中，半導(dǎo)體探測涉及到集成電路、微電子學(xué)、半導(dǎo)體分立器件、聲學(xué)和聲學(xué)測量、輻射防護(hù)、輻射測量、電子元器件綜合。

在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中，半導(dǎo)體探測涉及到半導(dǎo)體集成電路、半導(dǎo)體分立器件綜合、通用核儀器、基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法。

美國國防后勤局，關(guān)于半導(dǎo)體探測的標(biāo)準(zhǔn)

DLA SMD-5962-06239 REV A-2007硅單片三態(tài)輸出平行差探測電路/校正電路,高級(jí)氧化物半導(dǎo)體耐輻射數(shù)字微型電路

韓國標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于半導(dǎo)體探測的標(biāo)準(zhǔn)

KS C IEC 60749-16-2006半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第16部分:粒子沖擊噪聲探測(PIND)

KS C IEC 60749-16-2006半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第16部分:粒子沖擊噪聲探測(PIND)

德國標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)會(huì)，關(guān)于半導(dǎo)體探測的標(biāo)準(zhǔn)

DIN EN 60749-16-2003半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第16部分:粒子碰撞噪聲探測(PIND)

英國標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì)，關(guān)于半導(dǎo)體探測的標(biāo)準(zhǔn)

BS EN 60749-16-2003半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.粒子沖擊噪音探測(PIND)

歐洲電工標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)，關(guān)于半導(dǎo)體探測的標(biāo)準(zhǔn)

EN 60749-16-2003半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第16部分:粒子碰撞噪聲探測(PIND)IEC 60749-16-2003

HD 404-1980電離輻射半導(dǎo)體探測器用放大器和前置放大器的試驗(yàn)規(guī)程

國際電工委員會(huì)，關(guān)于半導(dǎo)體探測的標(biāo)準(zhǔn)

IEC 60749-16-2003半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第16部分:粒子沖擊噪聲探測(PIND)

美國國家標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì)，關(guān)于半導(dǎo)體探測的標(biāo)準(zhǔn)

ANSI/IEEE 301-1988電離輻射半導(dǎo)體探測器用放大器和前置放大器的試驗(yàn)程序

，關(guān)于半導(dǎo)體探測的標(biāo)準(zhǔn)

TS 3433-1979致電離輻射半導(dǎo)體探測器用放大器和前置放大器的測試程序

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-電子，關(guān)于半導(dǎo)體探測的標(biāo)準(zhǔn)

SJ/T 11067-1996紅外探測材料中半導(dǎo)體光電材料和熱釋電材料常用名詞術(shù)語

檢測時(shí)間周期

一般3-10天出報(bào)告，有的項(xiàng)目1天出報(bào)告，具體根據(jù)半導(dǎo)體探測檢測項(xiàng)目而定。

檢測報(bào)告有效期

一般半導(dǎo)體探測檢測報(bào)告上會(huì)標(biāo)注實(shí)驗(yàn)室收到樣品的時(shí)間、出具報(bào)告的時(shí)間。檢測報(bào)告上不會(huì)標(biāo)注有效期。

檢測流程

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