b超聲波檢測
2025-01-06
半導(dǎo)體設(shè)備檢測報告如何辦理?檢測項目及標(biāo)準(zhǔn)有哪些?百檢第三方檢測機(jī)構(gòu),嚴(yán)格按照半導(dǎo)體設(shè)備檢測相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測試和評估。做檢測,找百檢。我們只做真實檢測。
涉及半導(dǎo)體 設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)有269條。
國際標(biāo)準(zhǔn)分類中,半導(dǎo)體 設(shè)備涉及到電子電信設(shè)備用機(jī)電元件、電氣工程綜合、電工器件、長度和角度測量、造船和海上構(gòu)筑物綜合、開關(guān)裝置和控制器、半導(dǎo)體分立器件、醫(yī)療設(shè)備、印制電路和印制電路板、陶瓷、電子元器件綜合、集成電路、微電子學(xué)、光電子學(xué)、激光設(shè)備、光纖通信、旋轉(zhuǎn)電機(jī)、機(jī)械安全、工業(yè)自動化系統(tǒng)、技術(shù)制圖、電子設(shè)備用機(jī)械構(gòu)件、航空器和航天器綜合、詞匯、電信終端設(shè)備、電信系統(tǒng)、電子顯示器件、整流器、轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓電源、電池和蓄電池、電容器、電學(xué)、磁學(xué)、電和磁的測量、電氣設(shè)備元件。
在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中,半導(dǎo)體 設(shè)備涉及到電子工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備綜合、衛(wèi)生、安全、勞動保護(hù)、低壓配電電器、連接器、半導(dǎo)體分立器件綜合、電子測量與儀器綜合、船舶電氣、觀通、導(dǎo)航設(shè)備綜合、低壓電器綜合、控制電器、加工專用設(shè)備、、、半導(dǎo)體光敏器件、、醫(yī)用超聲、激光、高頻儀器設(shè)備、半導(dǎo)體集成電路、電子元件綜合、光電子器件綜合、電工儀器、儀表綜合、光通信設(shè)備、電聲器件、生產(chǎn)設(shè)備安全技術(shù)、電子設(shè)備機(jī)械結(jié)構(gòu)件、半導(dǎo)體二極管、微電路綜合、半導(dǎo)體整流器件、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存、軸系設(shè)備、船用發(fā)電、變電與配電設(shè)備、通信設(shè)備綜合、計算機(jī)應(yīng)用、雷達(dá)、導(dǎo)航、遙控、遙測、天線綜合、通信用電源設(shè)備、其他、高壓開關(guān)設(shè)備、電力半導(dǎo)體器件、部件、電容器、程序語言、交直流電源裝置。
GB/T 36646-2018制備氮化物半導(dǎo)體材料用氫化物氣相外延設(shè)備
GB/T 5226.33-2017機(jī)械電氣安全 機(jī)械電氣設(shè)備 第33部分:半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)條件
GB/T 14048.12-2016低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備 第4-3部分:接觸器和電動機(jī)起動器 非電動機(jī)負(fù)載用交流半導(dǎo)體控制器和接觸器
GB/T 13539.4-2016低壓熔斷器第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求
GB/T 15872-2013半導(dǎo)體設(shè)備電源接口
GB/T 29845-2013半導(dǎo)體制造設(shè)備的*終裝配、包裝、運(yùn)輸、拆包及安放導(dǎo)則
GB/T 24468-2009半導(dǎo)體設(shè)備可靠性、可用性和維修性(RAM)的定義和測量規(guī)范
GB/T 13539.4-2009低壓熔斷器.第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求
GB/T 22193-2008船舶電氣設(shè)備 設(shè)備 半導(dǎo)體變流器
GB 14048.6-2008低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.第4-2部分:接觸器和電動機(jī)起動器.交流半導(dǎo)體電動機(jī)控制器和起動器(含軟起動器)
GB/T 14048.12-2006低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備 第4-3部分:接觸器和電動機(jī)起動器 非電動機(jī)負(fù)載用 交流半導(dǎo)體控制器和接觸器
GB/T 13539.7-2005低壓熔斷器第4部分;半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 第1至3篇:標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體示例
GB/T 13539.4-2005低壓熔斷器第4部分;半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求
GB 14048.6-1998低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備接觸器和電動機(jī)起動器第2部分;交流半導(dǎo)體電動機(jī)控制器和起動器
GB/T 15872-1995半導(dǎo)體設(shè)備電源接口
GB 10292-1988通信用半導(dǎo)體整流設(shè)備
GB/T 14048.6-2016低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備第4-2部分:接觸器和電動機(jī)起動器交流電動機(jī)用半導(dǎo)體控制器和起動器(含軟起動器)
T/ZAQ 10113-2022半導(dǎo)體器件間歇工作壽命試驗設(shè)備
IEC 60092-304-2022船舶電氣裝置.第304部分:設(shè)備.半導(dǎo)體變流器
IEC 60947-4-3-2020低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備第4-3部分:接觸器和電動機(jī)起動器半導(dǎo)體控制器和半導(dǎo)體非電機(jī)負(fù)載用接觸器
IEC 60947-4-3:2020低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備第4-3部分:接觸器和電動機(jī)起動器半導(dǎo)體控制器和半導(dǎo)體非電機(jī)負(fù)載用接觸器
IEC 60947-4-2-2020低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備第4-2部分:接觸器和電動機(jī)起動器半導(dǎo)體電動機(jī)控制器、起動器和軟起動器
IEC 60947-4-2:2020低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備第4-2部分:接觸器和電動機(jī)起動器半導(dǎo)體電動機(jī)控制器、起動器和軟起動器
IEC 62435-4:2018電子元件. 電子半導(dǎo)體設(shè)備的長期儲存. 第4部分: 儲存
IEC 62047-28:2017半導(dǎo)體器件. 微型機(jī)電裝置. 第28部分: 振動驅(qū)動MEMS駐極體能量采集設(shè)備的性能試驗方法
IEC 62435-5:2017電子元件. 電子半導(dǎo)體設(shè)備的長期儲存. 第5部分: 晶粒和晶元設(shè)備
IEC 62435-2:2017電子元件. 電子半導(dǎo)體設(shè)備的長期儲存. 第2部分: 劣化機(jī)制
IEC 60747-5-7:2016半導(dǎo)體設(shè)備. 第5-7部分: 光電設(shè)備. 光電二極管和光電晶體管
IEC 60747-5-6:2016半導(dǎo)體設(shè)備. 第5-6部分: 光電設(shè)備. 發(fā)光二極管
IEC 62149-8:2014纖維光學(xué)有源元件和器件. 性能標(biāo)準(zhǔn). 第8部分: 晶種反射半導(dǎo)體光放大器設(shè)備
IEC 60747-5-5:2007+AMD1:2013 CSV半導(dǎo)體器件分立器件第5-5部分:光電器件設(shè)備-光電耦合器
IEC 60747-5-5-2007+AMD1-2013 CSV半導(dǎo)體器件分立器件第5-5部分:光電器件設(shè)備-光電耦合器
IEC 60269-4 Edition 5.1:2012低壓熔斷器.第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷器補(bǔ)充要求
IEC 60749-30 Edition 1.1:2011半導(dǎo)體器件的機(jī)械和環(huán)境試驗.第30部分:非密封表面安裝設(shè)備可靠性測試前的預(yù)處理
IEC 60749-30 AMD 1:2011半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗方法.第30部分:先于可靠性測試的非密封性表面貼裝設(shè)備的預(yù)處理
IEC 60947-4-2:2011低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.第4-2部分:接觸器和電動機(jī)起動器.交流半導(dǎo)體電動機(jī)控制器和起動器
IEC 60749-15 Edition 2.0:2010半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗方法.第15部分:透孔安裝設(shè)備對焊接溫度的抗性
IEC 60749-15:2010半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗方法.第15部分:透孔安裝設(shè)備對焊接溫度的抗性
IEC 60204-33-2009機(jī)械安全 - 機(jī)器電氣設(shè)備 - 第33部分:半導(dǎo)體制造設(shè)備的要求
IEC 60204-33:2009機(jī)械安全性.機(jī)器電動設(shè)備.第33部分:半導(dǎo)體制造設(shè)備要求
IEC 60947-4-2 Edition 2.2:2007低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.第4-2部分:電流接觸器和電動機(jī)起動器.交流半導(dǎo)體電動機(jī)控制器和起動器
IEC 60947-4-3 Edition 1.1:2007低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.第4-3部分:電流接觸器和電動機(jī)起動器 非電動機(jī)負(fù)載用交流半導(dǎo)體控制器和電流接觸器
IEC 60269-4:2006低壓熔斷器.第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求
IEC 60947-4-2 AMD 2:2006低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.第4-2部分:接觸器和電動機(jī)起動器.交流半導(dǎo)體電動機(jī)控制器和起動器.修改件2
IEC 60947-4-3 AMD 1:2006低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.第4-3部分:連接器和電動機(jī)起動器.無電動機(jī)負(fù)荷的交流半導(dǎo)體控制器和連接器
IEC 60269-4 AMD 2:2002低壓熔斷器.第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求.修改件2
IEC 60947-4-2 Edition 2.1:2002低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.第4-2部分:接觸器和電動機(jī)起動器.交流半導(dǎo)體電動機(jī)控制器和起動器
IEC 60947-4-2 AMD 1 CORR 1:2002低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.第4-2部分:接觸器和電動機(jī)啟動器.交流電半導(dǎo)體電動控制器和啟動器
IEC 60947-4-2 Corrigendum 1:2002低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.第4-2部分:接觸器和電動機(jī)起動器.交流半導(dǎo)體電動機(jī)控制器和起動器
IEC 60947-4-2:2002低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備第4-2部分:接觸器和電動機(jī)起動器交流半導(dǎo)體電動機(jī)控制器和起動器(含軟起動器)
IEC 60947-4-2 AMD 1:2001低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備第4-2部分:接觸器和電動機(jī)起動器 交流半導(dǎo)體電動機(jī)控制器和起動器修改1
IEC 60947-4-3 CORR 1:2000低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.第4-3部分:接觸器和電動機(jī)起動器.非電動機(jī)負(fù)載用交流半導(dǎo)體控制器和接觸器
IEC 60947-4-3:1999低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備 第4-3部分:接觸器和電動機(jī)起動器 非電動機(jī)負(fù)載用交流半導(dǎo)體控制器和接觸器
IEC 60947-4-2 AMD 2:1998低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.第4部分:接觸器和電動機(jī)啟動器.第2節(jié):AC半導(dǎo)體電動機(jī)控制器和電動機(jī)啟動器.修正2
IEC 60747-11:1985/AMD2:1996修正案2——半導(dǎo)體器件 離散設(shè)備 第11部分:分段分立器件規(guī)范
IEC 60747-11-1985/AMD2-1996修正案2——半導(dǎo)體器件 離散設(shè)備 第11部分:分段分立器件規(guī)范
IEC 60092-304 AMD 1:1995船舶電氣設(shè)施 第304部分:設(shè)備 半導(dǎo)體變流器 修改1
IEC 60092-304-1980/AMD1-1995修改件1——船舶電氣裝置 第304部分:設(shè)備-半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器
IEC 60092-304:1980/AMD1:1995修改件1——船舶電氣裝置 第304部分:設(shè)備-半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器
IEC 60747-11:1985/AMD1:1991修改件1——半導(dǎo)體器件 離散設(shè)備 第11部分:分段分立器件規(guī)范
IEC 60747-11-1985/AMD1-1991修改件1——半導(dǎo)體器件 離散設(shè)備 第11部分:分段分立器件規(guī)范
IEC 60158-2:1982低壓控制設(shè)備.第2部分:半導(dǎo)體接觸器(固態(tài)接觸器)
IEC 60092-304-1980船舶電氣裝置 - 第304部分:設(shè)備 - 半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器
IEC 60092-304 AMD 1:1980船舶電氣設(shè)施 第304部分:設(shè)備 半導(dǎo)體變流器 修改1
IEC 60092-304:1980船舶電氣設(shè)施 第304部分:設(shè)備 半導(dǎo)體變流器
IEC 60119:1960關(guān)于多晶半導(dǎo)體整流堆和設(shè)備的推薦標(biāo)準(zhǔn)
VSM 10336.10-1939多晶體半導(dǎo)體.整流器柱及設(shè)備的規(guī)則
SJ/T 11761-2020200mm及以下晶圓用半導(dǎo)體設(shè)備裝載端口規(guī)范
SJ/T 11763-2020半導(dǎo)體制造設(shè)備人機(jī)界面規(guī)范
YY/T 1751-2020激光治療設(shè)備 半導(dǎo)體激光鼻腔內(nèi)照射治療儀
ISO 21859:2019精細(xì)陶瓷(先進(jìn)陶瓷 先進(jìn)技術(shù)陶瓷) - 半導(dǎo)體制造設(shè)備中陶瓷部件的等離子體電阻試驗方法
YY 1289-2016激光治療設(shè)備眼科半導(dǎo)體激光光凝儀
YY 0845-2011激光治療設(shè)備.半導(dǎo)體激光光動力治療機(jī)
DIN EN 62435-6-2017電子元件. 電子半導(dǎo)體器件的長期存儲. 第6部分:包裝或成品設(shè)備(IEC 47 / 2390 / CD:2017)
DIN EN 60749-44-2017半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗方法.第44部分:半導(dǎo)體設(shè)備的中子束照射單粒子效應(yīng)(SEE)試驗方法(IEC 60749-44-2016);德文版本EN 60749-44-2016
DIN EN 60747-5-5-2015半導(dǎo)體設(shè)備.分離式元件.第5-5部分:光電元件.光融合元件(IEC 60747-5-5-2007+A1-2013);德文版本EN 60747-5-5-2011+A1-2015
DIN EN 60947-4-3-2015低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.第4-3部分:接觸器和電動機(jī)起動器.非電動機(jī)負(fù)載用交流半導(dǎo)體控制器和接觸器(IEC 60947-4-3-2014);德文版本EN 60947-4-3-2014
DIN EN 62149-8-2014纖維光學(xué)有源元件和器件. 性能標(biāo)準(zhǔn). 第8部分: 晶種反射半導(dǎo)體光放大器設(shè)備 (IEC 62149-8-2014); 德文版本EN 62149-8-2014
DIN EN 60947-4-2-2013低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備. 第4-2部分:電流接觸器和電動起動器. 交流半導(dǎo)體電動控制器和起動器 (IEC 60947-4-2-2011+Cor. -2012); 德文版本EN 60947-4-2-2012
DIN EN 60947-4-3-2012低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.第4-3部分:接觸器和電動機(jī)起動器.非電動機(jī)負(fù)載用交流半導(dǎo)體控制器和接觸器(IEC 60947-4-3-1999+A1-2006+A2-2011);德文版本EN 60947-4-3-2000+A1-2006+A2-2011
DIN EN 60749-21-2012半導(dǎo)體設(shè)備.機(jī)械和氣候試驗方法.第21部分:可焊性(IEC 60749-21-2011).德文版 EN 60749-21-2011
DIN EN 60749-29-2012半導(dǎo)體設(shè)備.機(jī)械及氣候試驗方法.第29部分:封閉試驗(IEC 60749-29-2011).德文版 EN 60749-29-2011
DIN EN 60191-6-12-2011半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化.第6-12部分:表面安裝半導(dǎo)體設(shè)備包的外形圖制備用一般規(guī)則.細(xì)間距柵極陣列的設(shè)計指南(FLGA)(IEC 60191-6-12-2011).德國
DIN EN 62047-8-2011半導(dǎo)體設(shè)備.微機(jī)電設(shè)備.第8部分:薄膜拉伸性能測量用帶彎曲試驗方法(IEC 62047-8-2011).德文版 EN 62047-8-2011
DIN EN 60749-30-2011半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗方法.第30部分:可靠性測試前非密封表面安裝設(shè)備預(yù)處理(IEC 60749-30-2005+A1-2011).德文版 EN 60749-30-2005+A1-2011
DIN EN 60747-5-5-2011半導(dǎo)體設(shè)備.分離式元件.第5-5部分:光電元件.光融合元件(IEC 60747-5-5-2007);德文版本EN 60747-5-5-2011
DIN EN 60749-15-2011半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗方法.第15部分-引腳插入式封裝設(shè)備的耐釬焊溫度(IEC 60749-15-2010);德文版本EN 60749-15-2010 + AC-2011
DIN EN 62047-6-2010半導(dǎo)體器件. 微電機(jī)設(shè)備. 第6部分: 薄膜材料的軸向疲勞試驗方法(IEC 62047-6: 2009);德文版本EN 62047-6: 2010
DIN EN 60749-20-1-2009半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗方法.第20-1部分:對水分和焊接熱綜合效應(yīng)敏感的表面安裝設(shè)備的處理,包裝,標(biāo)簽和運(yùn)輸(IEC 60749-20-1:2009),德文版本EN 60749-20
DIN EN 60269-4-2008低壓熔斷器.第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求
DIN EN 60947-4-2-2007低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.第4-2部分:接觸器和電動機(jī)起動器 交流半導(dǎo)體電動機(jī)控制器和起動器
DIN EN 60947-4-3-2007低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.第4-3部分:接觸器和電動機(jī)起動器.非電動機(jī)負(fù)載用交流半導(dǎo)體控制器和接觸器(IEC 60947-4-3:1999 + A1-2006)
DIN EN 62047-3-2007半導(dǎo)體器件.微電機(jī)設(shè)備.第3部分:拉伸試驗用薄膜標(biāo)準(zhǔn)試驗片
DIN 41774-1987靜態(tài)功率轉(zhuǎn)換器.鉛酸蓄電池充電用具有W特性的半導(dǎo)體整流器設(shè)備.要求
DIN 41777-1986靜態(tài)功率變流器.鉛酸蓄電池滴流充電用半導(dǎo)體整流器設(shè)備
DIN 41752-1982靜態(tài)電源轉(zhuǎn)換器.半導(dǎo)體整流設(shè)備.額定值代碼
DIN 41773-2-1982靜態(tài)功率轉(zhuǎn)換器.用于鎳/鎘蓄電池充電用具有IU特性曲線的半導(dǎo)體整流設(shè)備.要求
DIN 41775-1979靜態(tài)電源轉(zhuǎn)換器.用于鎳/鎘和鎳/鐵蓄電池充電用具有W特性曲線的半導(dǎo)體整流設(shè)備.要求
DIN 41772-1979靜態(tài)功率轉(zhuǎn)換器.半導(dǎo)體整流設(shè)備.特性曲線形狀和字母符號
DIN 41773-1-1979靜態(tài)功率變流器.第1部分:鉛酸蓄電池滴流充電用具有 IU 特性的半導(dǎo)體整流器設(shè)備指南
DIN 41772 Bb.2-1979靜態(tài)功率轉(zhuǎn)換器.半導(dǎo)體整流設(shè)備.與蓄電池并聯(lián)運(yùn)行的整流設(shè)備的特性曲線示例
DIN 41772 Bb.1-1979靜態(tài)功率轉(zhuǎn)換器.半導(dǎo)體整流設(shè)備.蓄電池充電器特性曲線示例
DIN 41751-1977靜態(tài)功率變流器.半導(dǎo)體變流器組件和設(shè)備.冷卻方法
BS EN 62435-5-2017電子元件. 電子半導(dǎo)體設(shè)備的長期儲存. 第5部分: 晶粒和晶元設(shè)備
BS EN 60749-44-2016半導(dǎo)體器件. 機(jī)械和氣候試驗方法. 半導(dǎo)體設(shè)備的中子束照射單粒子效應(yīng)(SEE)試驗方法
BS EN 60947-4-3-2014低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備,接觸器和發(fā)動機(jī)啟動器,非機(jī)動車負(fù)載用交流半導(dǎo)體控制器和接觸器
BS EN 62149-8-2014纖維光學(xué)有源元件和器件. 性能標(biāo)準(zhǔn). 晶種反射半導(dǎo)體光學(xué)放大器設(shè)備
BS EN 60947-4-2-2012低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.接觸器和電動機(jī)起動器.交流半導(dǎo)體電動機(jī)控制器和起動器
BS EN 62047-13-2012半導(dǎo)體設(shè)備.微型機(jī)電裝置.MEMS結(jié)構(gòu)用測量粘合強(qiáng)度的彎曲和切變型式試驗方法
BS EN 60747-15-2012半導(dǎo)體設(shè)備.分立器件.絕緣的功率半導(dǎo)體器件
BS EN 60204-33-2011機(jī)械安全.機(jī)械的電氣設(shè)備.半導(dǎo)體制造設(shè)備要求
BS EN 60749-15-2010半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗方法.穿孔安裝設(shè)備的耐焊接溫度性
BS EN 60191-6-18-2010半導(dǎo)體設(shè)備的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化.平面式安裝半導(dǎo)體器件外殼外形圖繪制的一般規(guī)則.球柵陣列(BGA)用設(shè)計指南
BS IEC 60747-14-3:2009半導(dǎo)體設(shè)備.半導(dǎo)體傳感器.壓力傳感器
BS EN 60749-30-2005+A1-2011半導(dǎo)體裝置.機(jī)械和氣候耐受性試驗方法.非密閉式表面安裝設(shè)備可靠性試驗前預(yù)處理
BS EN 60749-15-2003半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗方法.通孔安裝設(shè)備的耐釬焊溫度
BS IEC 60092-304:2002船上電氣裝置.設(shè)備-半導(dǎo)體變流器
BS IEC 60748-2-12:2001半導(dǎo)體器件.集成電路.數(shù)字集成電路.可編程序邏輯設(shè)備的空白詳細(xì)規(guī)范
BS EN 60947-4-3-2000+A2-2011低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備,接觸器和發(fā)動機(jī)啟動器,非機(jī)動車負(fù)載用交流半導(dǎo)體控制器和接觸器
BS 5424-2-1987低電壓控制設(shè)備.第2部分:半導(dǎo)體固態(tài)連接器
NF C96-005-5/A1-2015半導(dǎo)體設(shè)備. 分離式設(shè)備. 第5-5部分: 光電設(shè)備. 光耦合器
NF C63-113-2014低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.第4-3部分:接觸器和電動機(jī)起動器.AC半導(dǎo)體控制器和非電動機(jī)負(fù)載用起動器
NF C63-112-2012低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.第4-2部分:接觸器和電動機(jī)起動器.交流半導(dǎo)體電動機(jī)控制器和起動器
NF C63-113/A2-2011低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.第4-3部分:接觸器和電動機(jī)起動器.AC半導(dǎo)體控制器和非電動機(jī)負(fù)載用起動器
NF C96-022-30/A1-2011半導(dǎo)體設(shè)備.機(jī)械和氣候試驗方法.第30部分:可靠性試驗前對非密封表面安裝器件的預(yù)處理
NF C96-022-15-2011半導(dǎo)體器件.機(jī)械和環(huán)境測試方法.第15部分:引腳插入式封裝設(shè)備的耐釬焊溫度.
NF C96-022-20-1-2009半導(dǎo)體裝置.機(jī)械和環(huán)境試驗方法.第20-1部分:對水分和焊接熱綜合效應(yīng)敏感的表面安裝設(shè)備的處理,包裝,標(biāo)識和裝運(yùn)
NF C96-050-3-2006半導(dǎo)體器件.微電機(jī)設(shè)備.第3部分:拉伸試驗用薄膜標(biāo)準(zhǔn)試驗片
NF C63-112-1996低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.第4部分:電流接觸器和發(fā)動機(jī)啟動器.第2節(jié):交流半導(dǎo)體發(fā)動機(jī)控制器和啟動器(歐洲標(biāo)準(zhǔn)60 947-4-2)
IEEE 1687:2014嵌入半導(dǎo)體設(shè)備內(nèi)儀器的獲取和控制(IEEE計算機(jī)協(xié)會)
IEEE C 62.37 Errata:2009半導(dǎo)體閘流管二極管沖擊保護(hù)設(shè)備試驗規(guī)范;勘誤表
IEEE C62.37 ERTA:2009半導(dǎo)體閘流管二極管沖擊保護(hù)設(shè)備試驗規(guī)范;勘誤表
KS C IEC 60119:2014多晶半導(dǎo)體整流堆和設(shè)備的推薦標(biāo)準(zhǔn)
KS C IEC 60947-4-3:2012低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.第4-3部分:接觸器和電動機(jī)起動器.AC半導(dǎo)體控制器和非電動機(jī)負(fù)載用起動器
KS C IEC 60204-33:2010機(jī)械安全性.機(jī)器電動設(shè)備.第33部分:半導(dǎo)體制造設(shè)備要求
UL 60947-4-2 (ND)-2014UL 60947-4-2低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備的國家差異. 第4-2部分: 電流接觸器和電動起動器. 交流半導(dǎo)體電動控制器和起動器 (第一版)
UL 60947-4-2-2014低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備的UL安全標(biāo)準(zhǔn). 第4-2部分: 電流接觸器和電動起動器. 交流半導(dǎo)體電動控制器和起動器 (第一版)
JIS B9960-33-2012機(jī)械安全性.機(jī)械電氣設(shè)備.第33部分:半導(dǎo)體制造設(shè)備要求
JIS F8067-2000船用電氣裝置.第304部分:設(shè)備.半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器
JIS F8067-1986輪船304設(shè)備的電氣安裝.半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器
JEDEC JESD30E-2008半導(dǎo)體設(shè)備包裝描述性標(biāo)志法
JEDEC JESD89A-2006阿爾法粒子和陸地宇宙光的測量和傳送 導(dǎo)致在半導(dǎo)體設(shè)備中的輕微錯誤
JEDEC JEP104C.01-2003半導(dǎo)體設(shè)備的字母符號的參考指南
JEDEC JESD66-1999半導(dǎo)體閘流管電涌保護(hù)設(shè)備分級認(rèn)證和特征測試的瞬時電壓抑止器標(biāo)準(zhǔn)
JEDEC JESD57-1996重離子輻射中半導(dǎo)體設(shè)備的單粒子效應(yīng)測量的測試規(guī)程
JEDEC JESD419A-1980半導(dǎo)體設(shè)備規(guī)范和注冊格式中用到的數(shù)值標(biāo)準(zhǔn)列表.EIA RS-419-A 前RS-419的修訂本
DLA MIL-PRF-19500/534 F-2008型號為2N5002和2N5004,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANSM,JANSD,JANSP,JANSL,JANSR,JANSF,JANSG,JANSH,JANHCB,JANKCB,JANKCBM,JANKCBD,JANKCBP,JANKCBL,JANKCBR,JANKCBF,JANKCBG以及JANKCBH的硅晶體三極管半導(dǎo)體設(shè)備
DLA MIL-PRF-19500/420 L-2008型號為1N5550 THROUGH 1N5554,1N5550US THROUGH 1N5554US,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHCA,JANHCB,JANHCC,JANHCD,JANHCE,JANKCA,JANKCD以及JANKCE的硅二極管半導(dǎo)體設(shè)備,帶電源整流器
DLA MIL-PRF-19500/597 D VALID NOTICE 1-2008型號為2N7334,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHC,JANKCA2N7334以及JANHCA2N7334的硅晶體場效應(yīng)半導(dǎo)體設(shè)備,帶N個通道具四個三極管
DLA MIL-PRF-19500/435 J-2008半導(dǎo)體裝置,低噪音電壓調(diào)節(jié)器硅二極管,型號1N4099-1到1N4135-1,1N4614-1到1N4627-1,1N4099UR-1到1N4135UR-1,1N4614UR-1到1N4627UR-1加上公差后綴為C和D的設(shè)備JAN,JANTX,JANTXV,JANS
DLA SMD-5962-92062 REV B-2007硅單塊 紫外擦拭可編程邏輯設(shè)備,互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,數(shù)字主儲存器微型電路
DLA SMD-5962-91760 REV D-2007硅單塊 一次可編程邏輯設(shè)備,雙互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,數(shù)字主儲存器微型電路
DLA SMD-5962-87640 REV B-2002硅單塊 雙極金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中斷接口閂鎖設(shè)備,直線型微型電路
DLA MIL-DTL-19491 H-2002半導(dǎo)體設(shè)備包裝
DLA SMD-5962-95647 REV B-1998先進(jìn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體3.3 V,16-BIT電子數(shù)據(jù)采集設(shè)備D類雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器,三狀態(tài)輸出和晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-97504-1997互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體雙8設(shè)備安全檢查過濾器硅單片電路數(shù)字微電路
DLA SMD-5962-89469 REV B-1994硅單片紫外線擦寫的可編程邏輯設(shè)備互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體數(shù)字存儲微電路
DLA SMD-5962-90799-1994紫外可擦去同步記名的可編程序邏輯設(shè)備,數(shù)字主儲存器微型電路,互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,數(shù)字主儲存器微型電路
DLA SMD-5962-90754 REV A-1992硅單塊 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體紫外可擦去同步記名的可編程序邏輯設(shè)備,數(shù)字主儲存器微型電路
DLA SMD-5962-89476-1992硅單片紫外線擦寫的可編程邏輯設(shè)備互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體數(shù)字存儲微電路
DLA SMD-5962-92121-1992硅單塊 電可擦拭可編程邏輯設(shè)備,互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,數(shù)字主儲存器微型電路
DLA SMD-5962-87603 REV B-1992硅單塊 高性能互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體9寬和10寬總線連接設(shè)備門閂線路,微型電路
DLA SMD-5962-92105-1992硅單塊 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體8-宏單元電程序邏輯設(shè)備,數(shù)字主儲存器微型電路
DLA SMD-5962-86864-1988可編程邏輯設(shè)備互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體可擦除數(shù)字微型電路
DLA SMD-5962-87641-1988硅單塊 閂鎖設(shè)備,輸入密封,雙極金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)8比特,直線型微型電路
EN 62047-1-2006半導(dǎo)體器件.微電機(jī)設(shè)備.第1部分:術(shù)語和定義 IEC 62047-1:2005
EN 60747-5-2-2001分立半導(dǎo)體器件和集成電路.第5-2部分:光電設(shè)備.基本額定值和特性;包含修改件A1-2002
EN 60747-5-3-2001分立半導(dǎo)體器件和集成電路.第5-3部分:光電設(shè)備.測量方法;包含修改件A1-2002
EN 60947-4-3-2000低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.第4-3部分:接觸器和電動機(jī)起動器.非電動機(jī)負(fù)載用交流半導(dǎo)體控制器和接觸器;包含修改件A1:2006年12月[:CENELEC HD 419.2 S1]
EN 120000-1996通用規(guī)范:半導(dǎo)體光電器件和液晶設(shè)備;由EN 61747-1-1999替代
ASTM E431-96(2016)半導(dǎo)體和相關(guān)設(shè)備的射線照片的標(biāo)準(zhǔn)指南
DS/IEC 92-304:1994船上電氣設(shè)備的安裝.第304部分:設(shè)備.半導(dǎo)體變流器
DS/IEC 747-12:1993半導(dǎo)體裝置.第12部分:光電子設(shè)備分規(guī)范
YD/T 682-1994通信用半導(dǎo)體整流設(shè)備質(zhì)量分等標(biāo)準(zhǔn)
YD 576-1992通信用半導(dǎo)體整流設(shè)備
ITU-T K.28-1993電信設(shè)備防護(hù)用半導(dǎo)體避雷器組件的特性-抗干擾防護(hù)(研究組5)14頁
BOCA ARTICLE 18 NFPC COMM-1990使用有害生產(chǎn)資料的半導(dǎo)體制造設(shè)備
BOCA ARTICLE 18 NFPC-1990使用有害生產(chǎn)資料的半導(dǎo)體制造設(shè)備.第8版
HD 419.2 S1-1987低壓控制設(shè)備.第2部分:半導(dǎo)體接觸器(固態(tài)接觸器)
ANSI/EIA 401-1973功率半導(dǎo)體設(shè)備用紙介質(zhì)和紙/薄膜介質(zhì)電容器
ECA CB 5-1-1971半導(dǎo)體熱驅(qū)散設(shè)備的推薦測試程序 CB5的附錄
ECA CB 5-1969半導(dǎo)體熱驅(qū)散設(shè)備的推薦測試程序
AS 1852.521-1988國際電工詞匯.半導(dǎo)體設(shè)備和集成電路
AS 60947.4.2-2004低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.接觸器和電動機(jī)起動器.交流半導(dǎo)體電動機(jī)控制器和啟動器
AS/NZS 3947.4.3-2000低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備.電流接觸器和電動起動器.非電動機(jī)負(fù)荷用交流半導(dǎo)體控制器和電流接觸器
一般3-10天出報告,有的項目1天出報告,具體根據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備檢測項目而定。
一般半導(dǎo)體設(shè)備檢測報告上會標(biāo)注實驗室收到樣品的時間、出具報告的時間。檢測報告上不會標(biāo)注有效期。
溫馨提示:以上內(nèi)容僅供參考,更多其他檢測內(nèi)容請咨詢客服。