垂直軸偏差測(cè)定法檢測(cè)項(xiàng)目與標(biāo)準(zhǔn)
2023-12-29
x射線俄歇電子檢測(cè)報(bào)告如何辦理?檢測(cè)項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)有哪些?百檢第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu),嚴(yán)格按照x射線俄歇電子檢測(cè)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試和評(píng)估。做檢測(cè),找百檢。我們只做真實(shí)檢測(cè)。
涉及x射線 俄歇 電子的標(biāo)準(zhǔn)有64條。
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類中,x射線 俄歇 電子涉及到分析化學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)、電和磁的測(cè)量、長(zhǎng)度和角度測(cè)量、無(wú)損檢測(cè)、光學(xué)和光學(xué)測(cè)量、電子元器件綜合。
在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類中,x射線 俄歇 電子涉及到基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、綜合測(cè)試系統(tǒng)、質(zhì)譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯(lián)用裝置、化學(xué)助劑基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、電子光學(xué)與其他物理光學(xué)儀器、光學(xué)測(cè)試儀器、化學(xué)、標(biāo)準(zhǔn)化、質(zhì)量管理。
GB/T 41064-2021表面化學(xué)分析 深度剖析 用單層和多層薄膜測(cè)定X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜中深度剖析濺射速率的方法
GB/T 31470-2015俄歇電子能譜與X射線光電子能譜測(cè)試中確定檢測(cè)信號(hào)對(duì)應(yīng)樣品區(qū)域的通則
GB/T 30702-2014表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜和X射線光電子能譜 實(shí)驗(yàn)測(cè)定的相對(duì)靈敏度因子在均勻材料定量分析中的使用指南
GB/T 29556-2013表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜和X射線光電子能譜 橫向分辨率、分析面積和分析器所能檢測(cè)到的樣品面積的測(cè)定
GB/T 28893-2012表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜和X射線光電子能譜.測(cè)定峰強(qiáng)度的方法和報(bào)告結(jié)果所需的信息
GB/T 28632-2012表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜和X射線光電子能譜.橫向分辨率測(cè)定
GB/T 21006-2007表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀 強(qiáng)度標(biāo)的線性
ISO 17109-2022表面化學(xué)分析.深度剖面.用單層和多層薄膜在X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜中測(cè)定濺射速率的方法
ISO 20903-2019表面化學(xué)分析 - 俄歇電子光譜和X射線光電子能譜 - 用于確定峰值強(qiáng)度的方法和報(bào)告結(jié)果時(shí)所需的信息
ISO 17109-2015表面化學(xué)分析. 深度剖析. 使用單層和多層薄膜測(cè)定X射線光電子能譜, 俄歇電子能譜以及二次離子質(zhì)譜法濺射深度剖析中濺射率的方法
ISO 17109:2015表面化學(xué)分析 - 深度分析 - X射線光電子能譜法中的濺射速率測(cè)定方法 俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜法使用單層和多層薄膜的濺射深度分析
ISO 18118:2015表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜和X射線光電子能譜.均勻材料定量分析用實(shí)驗(yàn)測(cè)定相對(duì)靈敏度因子的使用指南
ISO 18118-2015表面化學(xué)分析.俄歇電子光譜法和X射線光電子光譜法.同質(zhì)材料定量分析用實(shí)驗(yàn)室測(cè)定相對(duì)敏感性因子的使用指南
ISO 20903-2011表面化學(xué)分析.俄歇電子能普和X射線光電子光譜.通報(bào)結(jié)果所需峰值強(qiáng)度和信息的測(cè)定方法
ISO 20903:2011表面化學(xué)分析——俄歇電子能譜和X射線光電子能譜——報(bào)告結(jié)果時(shí)用于確定峰值強(qiáng)度和所需信息的方法
ISO 18516-2006表面化學(xué)分析.俄歇電子光譜法和X射線光電子光譜法.橫向分辨率測(cè)定
ISO 18516:2006表面化學(xué)分析——俄歇電子能譜和X射線光電子能譜——橫向分辨率的測(cè)定
ISO 20903:2006表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜和X射線光電子能譜.報(bào)告結(jié)果時(shí)確定峰值強(qiáng)度和所需信息的方法
ISO 21270:2004表面化學(xué)分析——X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀——強(qiáng)度標(biāo)度線性
ISO 21270-2004表面化學(xué)分析X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀.強(qiáng)度標(biāo)的線性
ISO 18118-2004表面化學(xué)分析.俄歇電子光譜法和X射線光電子光譜法.同質(zhì)材料定量分析用實(shí)驗(yàn)室測(cè)定相對(duì)敏感性因子的使用指南
ISO/TR 19319-2003表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜和X射線光電子能譜.分析員對(duì)橫向分辨率、分析區(qū)域和樣品區(qū)域的目視檢測(cè)
ISO/TR 19319:2003表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜和X射線光電子能譜.用分析儀觀察橫向分辨率 分析面積和樣品面積的測(cè)定
ASTM E1217-11(2019)用于確定在俄歇電子能譜儀和一些X射線光電子能譜儀中檢測(cè)到的信號(hào)的樣品區(qū)域的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐
ASTM E996-19俄歇電子能譜和X射線光電子能譜中數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
ASTM E996-10(2018)俄歇電子能譜和X射線光電子能譜中數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
ASTM E995-16俄歇電子光譜和X射線光電子能譜背景減法技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)指南
ASTM E1217-11用于確定在俄歇電子能譜儀和一些X射線光電子能譜儀中檢測(cè)到的信號(hào)的樣品區(qū)域的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐
ASTM E995-11俄歇電子光譜和X射線光電子能譜背景減法技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)指南
ASTM E995-2011在俄歇電子能譜和X射線光電子能譜中應(yīng)用背景消除技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)指南
ASTM E1217-2011用X射線光電子光譜儀和俄歇電子光譜儀測(cè)定影響檢測(cè)信號(hào)樣品面積的標(biāo)準(zhǔn)操作規(guī)程
ASTM E996-10俄歇電子能譜和X射線光電子能譜中數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
ASTM E996-2010俄歇電子光譜儀和X射線光電子能譜的報(bào)告數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)程
ASTM E1217-05用于確定在俄歇電子能譜儀和一些X射線光電子能譜儀中檢測(cè)到的信號(hào)的樣品區(qū)域的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐
ASTM E1217-2005用X射線光電子光譜儀和俄歇電子光譜儀測(cè)定影響檢測(cè)信號(hào)的樣品面積的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)范
ASTM E996-04俄歇電子能譜和X射線光電子能譜中數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
ASTM E995-04俄歇電子光譜和X射線光電子能譜背景減法技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)指南
ASTM E996-2004俄歇電子光譜儀和X射線光電子能譜的報(bào)告數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)程
ASTM E1217-00用于確定在俄歇電子能譜儀和一些X射線光電子能譜儀中檢測(cè)到的信號(hào)的樣品區(qū)域的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐
ASTM E1217-2000用X射線光電子光譜儀和俄歇電子光譜儀測(cè)定影響檢測(cè)信號(hào)的樣品面積的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)范
ASTM E996-94(1999)俄歇電子能譜和X射線光電子能譜中數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
ASTM E995-97俄歇電子和X射線光電子能譜中背景差減技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)指南
ASTM E996-1994(1999)俄歇電子能譜分析和X射線光電子光譜分析數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)程
BS ISO 17109-2015表面化學(xué)分析. 深度剖析. 使用單層和多層薄膜測(cè)定X射線光電子能譜, 俄歇電子能譜以及二次離子質(zhì)譜法濺射深度剖析中濺射率的方法
BS ISO 17109-2015表面化學(xué)分析. 深度剖析. 使用單層和多層薄膜測(cè)定X射線光電子能譜, 俄歇電子能譜以及二次離子質(zhì)譜法濺射深度剖析中濺射率的方法
BS ISO 18118-2015表面化學(xué)分析.俄歇電子光譜法和X射線光電子光譜法.同質(zhì)材料定量分析用實(shí)驗(yàn)室測(cè)定相對(duì)敏感性系數(shù)的使用指南
BS ISO 20903-2011表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜和X-射線光電光譜學(xué).測(cè)定峰強(qiáng)度的方法和報(bào)告結(jié)果要求的信息
BS ISO 20903-2011表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜和X-射線光電光譜學(xué).測(cè)定峰強(qiáng)度的方法和報(bào)告結(jié)果要求的信息
BS ISO 18516-2006表面化學(xué)分析.俄歇電子光譜法和X射線光電子光譜法.橫向分辨率測(cè)定
BS ISO 21270-2005表面化學(xué)分析.X射線光電子和俄歇電子光譜儀.強(qiáng)度標(biāo)的線性度
BS ISO 18118-2005表面化學(xué)分析.俄歇電子光譜法和X射線光電子光譜法.同質(zhì)材料定量分析用實(shí)驗(yàn)室測(cè)定相對(duì)敏感性系數(shù)的使用指南
JIS K0167-2011表面化學(xué)分析.俄歇電子光譜和X射線光電子能譜學(xué).勻質(zhì)材料定量分析用實(shí)驗(yàn)室測(cè)定相對(duì)敏感因子的使用指南
NF X21-058-2006表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜學(xué)和X射線光電子光譜法.測(cè)定峰強(qiáng)度使用的方法和報(bào)告結(jié)果時(shí)需要的信息
KS D ISO 19319-2005(2020)表面化學(xué)分析-俄歇電子能譜和X射線光電子能譜-分析儀橫向分辨率、分析面積和樣品面積的測(cè)定
KS D ISO 21270-2005(2020)表面化學(xué)分析X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀強(qiáng)度標(biāo)度的線性
KS D ISO 18118-2005(2020)表面化學(xué)分析俄歇電子能譜和X射線光電子能譜均勻材料定量分析用實(shí)驗(yàn)測(cè)定的相對(duì)靈敏度因子的使用指南
KS D ISO 18118-2005表面化學(xué)分析.俄歇電子光譜法和X射線光電子光譜法.同質(zhì)材料定量分析用實(shí)驗(yàn)室測(cè)定相對(duì)敏感性因子的使用指南
KS D ISO 21270-2005表面化學(xué)分析.X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀.強(qiáng)度標(biāo)的線性
KS D ISO 21270-2005表面化學(xué)分析.X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀.強(qiáng)度標(biāo)的線性
KS D ISO 19319-2005表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜和X射線光電子能譜.分析員對(duì)橫向分辨率、分析區(qū)域和樣品區(qū)域的目視檢測(cè)
KS D ISO 18118-2005表面化學(xué)分析.俄歇電子光譜法和X射線光電子光譜法.同質(zhì)材料定量分析用實(shí)驗(yàn)室測(cè)定相對(duì)敏感性因子的使用指南
KS D ISO 19319-2005表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜和X射線光電子能譜.分析員對(duì)橫向分辨率、分析區(qū)域和樣品區(qū)域的目視檢測(cè)
SJ/T 10458-1993俄歇電子能譜術(shù)和X射線光電子能譜術(shù)的樣品處理標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)則
AS ISO 18118-2006表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜法和X射線光電子光譜法.均質(zhì)材料定量分析中實(shí)驗(yàn)測(cè)定的相對(duì)靈敏系數(shù)使用指南
一般3-10天出報(bào)告,有的項(xiàng)目1天出報(bào)告,具體根據(jù)x射線俄歇電子檢測(cè)項(xiàng)目而定。
一般x射線俄歇電子檢測(cè)報(bào)告上會(huì)標(biāo)注實(shí)驗(yàn)室收到樣品的時(shí)間、出具報(bào)告的時(shí)間。檢測(cè)報(bào)告上不會(huì)標(biāo)注有效期。
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