標準簡介：本標準規(guī)定了單晶和鑄造多晶的硅片及硅錠的載流子復合壽命的非接觸微波反射光電導衰減測試方法。 本標準適用于硅錠和經(jīng)過拋光處理的N型或P型硅片（當硅片厚度大于1mm時，通常稱為硅塊）載流子復合壽命的測試。在電導率檢測系統(tǒng)靈敏度足夠的條件下，本標準也可用于測試切割或經(jīng)過研磨、腐蝕的硅片的載流子復合壽命。通常，被測樣品的室溫電阻率下限在0.05Ω·cm～10Ω·cm之間，由檢測系統(tǒng)靈敏度的極限確定。載流子復合壽命的測試范圍為大于0.1.s，可測的最短壽命值取決于光源的關(guān)斷特性及衰減信號測定器的采樣頻率，最長可測值取決于樣品的幾何條件及其表面的鈍化程度。

標準號：GB/T 26068-2018

標準名稱：硅片和硅錠載流子復合壽命的測試 非接觸微波反射光電導衰減法

英文名稱：Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers and silicon ingots—Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method

標準類型：國家標準

標準性質(zhì)：推薦性

標準狀態(tài)：現(xiàn)行

發(fā)布日期：2018-12-28

實施日期：2019-11-01

中國標準分類號（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗方法>>H21金屬物理性能試驗方法

國際標準分類號（ICS）：冶金>>77.040金屬材料試驗

替代以下標準：替代GB/T 26068-2010

起草單位：有研半導體材料有限公司、瑟米萊伯貿(mào)易(上海)有限公司、中國計量科學研究院、浙江省硅材料質(zhì)量檢驗中心、廣州市昆德科技有限公司、江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司、天津市環(huán)歐半導體材料技術(shù)有限公司、北京合能陽光新能源技術(shù)有限公司

歸口單位：全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會(SAC/TC 203)、全

發(fā)布單位：國家市場監(jiān)督管理總局.

檢測流程

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