標準簡介：本標準規(guī)定了半導體器件和集成電路制造用硅退火拋光片的要求、試驗方法、檢驗規(guī)則等。本標準適用于線寬180nm、130nm 和90nm 工藝退火硅片。

標準號：GB/T 26069-2010

標準名稱：硅退火片規(guī)范

英文名稱：Specification for silicon annealed wafers

標準類型：國家標準

標準性質(zhì)：推薦性

標準狀態(tài)：現(xiàn)行

發(fā)布日期：2011-01-10

實施日期：2011-10-01

中國標準分類號（CCS）：冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合

國際標準分類號（ICS）：電氣工程>>29.045半導體材料

替代以下標準：被GB/T 26069-2022代替

起草單位：萬向硅峰電子股份有限公司、有研半導體材料股份公司、寧波立立電子股份有限公司和杭州海納半導體有限公司

歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/T

發(fā)布單位：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.

檢測流程

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考，更多其他檢測內(nèi)容請咨詢客服。