標準簡介：本標準規(guī)定了用柵控和非柵控二極管的電壓?電容關系測定硅外延層中凈載流子濃度的原理、儀器與材料、樣品制備、測量步驟和數據處理。本標準適用于外延層厚度不小于某一最小厚度值(見附錄Ｂ)的相同或相反導電類型襯底上的n型或p型外延層，也適用于體材料。

標準號：GB/T 14863-1993

標準名稱：用柵控和非柵控二極管的電壓-電容關系測定硅外延層中凈載流子濃度的標準方法

英文名稱：STANDARD test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

標準類型：國家標準

標準性質：推薦性

標準狀態(tài)：作廢

發(fā)布日期：1993-01-02

實施日期：1994-10-01

中國標準分類號（CCS）：電子元器件與信息技術>>半導體分立器件>>L41半導體二極管

國際標準分類號（ICS）：29.040.30

替代以下標準：被GB/T 14863-2013代替

起草單位：機械電子工業(yè)部所和所

歸口單位：信息產業(yè)部（電子）

發(fā)布單位：國家技術監(jiān)督局

檢測流程

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