標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 24574-2009硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質(zhì)的光致發(fā)光檢測(cè)方法

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質(zhì)的光致發(fā)光檢測(cè)方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于低位錯(cuò)單晶硅中導(dǎo)電性雜質(zhì)硼和磷含量的同時(shí)測(cè)定。本標(biāo)準(zhǔn)用于檢測(cè)單晶硅中含量為1×1011at·cm-3~5×1015at·cm-3的各種電活性雜質(zhì)元素。

英文名稱： Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

中標(biāo)分類： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合

ICS分類： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料

采標(biāo)情況： MOD SEMI MF 1389-0704

發(fā)布部門： 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

發(fā)布日期： 2009-10-30

實(shí)施日期： 2010-06-01

首發(fā)日期： 2009-10-30

提出單位： 全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)

檢測(cè)流程

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