晶體硅檢測(cè)檢驗(yàn)?zāi)男╉?xiàng)目？檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)是什么？我們嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行檢測(cè)和評(píng)估，確保檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。同時(shí)，我們還根據(jù)客戶的需求，提供個(gè)性化的檢測(cè)方案和報(bào)告，幫助廠家更好地了解產(chǎn)品質(zhì)量和性能。

檢測(cè)項(xiàng)目（參考）：

III-V族雜質(zhì)含量、主參考面晶向、位錯(cuò)密度、單晶方片邊長、厚度及總厚度變化、參考面位置、參考面長度、基體金屬雜質(zhì)含量、基硼電阻率、基磷電阻率、外延層位錯(cuò)、外延層厚度、外延層堆垛層錯(cuò)密度、外形尺寸、少數(shù)載流子壽命、尺寸范圍、徑向電阻率變化測(cè)量、晶向及晶向偏離度、氧化夾層、氧化誘生缺陷、氧濃度、直徑及允許偏差、碳濃度、表面質(zhì)量、規(guī)格、金屬雜質(zhì)和硼含量、導(dǎo)電類型、電阻率、鉀、鈉、鈣、鎳、銅、鋅、鋁、鐵、鉻、硼、鋁、鎵、磷、砷、銻、銦、碳、氧、鐵、鉻、鎳、銅、鋅、鈉、鐵、鉻、鎳、銅、鋅、低輻照條件下的性能、初始穩(wěn)定性試驗(yàn)、外觀檢查、接地連續(xù)性、最大功率確定、濕凍試驗(yàn)、濕漏電試驗(yàn)、濕熱試驗(yàn)、熱循環(huán)試驗(yàn)、紫外預(yù)處理試驗(yàn)、絕緣試驗(yàn)、靜態(tài)機(jī)械載荷試驗(yàn)、低輻照度下的性能、冰雹試驗(yàn)、室外曝露試驗(yàn)、引出端強(qiáng)度試驗(yàn)、旁路二極管試驗(yàn)、最大功率確認(rèn)、機(jī)械載荷試驗(yàn)、標(biāo)準(zhǔn)條件和標(biāo)準(zhǔn)電池額定工作溫度下的性能、標(biāo)準(zhǔn)電池額定工作溫度的測(cè)量、溫度系數(shù)測(cè)量、濕漏電流試驗(yàn)、熱斑耐久試驗(yàn)、穩(wěn)定性試驗(yàn)、電勢(shì)誘導(dǎo)衰減試驗(yàn)、低輻照度下性能測(cè)試、反向電流過載試驗(yàn)、引線端強(qiáng)度測(cè)試、接地電阻試驗(yàn)、最大功率測(cè)試、電勢(shì)誘導(dǎo)衰減測(cè)試、溫度和輻照度修正方法、外觀、最大功率測(cè)量、戶外曝曬試驗(yàn)、旁路二極管熱性能、最大功率、標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件和標(biāo)稱工作溫度下的性能、溫度系數(shù)、熱斑耐久性試驗(yàn)、穩(wěn)定試驗(yàn)、組件標(biāo)稱工作溫度的測(cè)量、部分參數(shù)、靜態(tài)載荷試驗(yàn)、PID試驗(yàn)、低溫試驗(yàn)、修改、光伏組件鹽霧蝕試驗(yàn)、入射角影響的測(cè)量、內(nèi)部導(dǎo)線和載流部件、剪切試驗(yàn)、加速老化試驗(yàn)、壓力試驗(yàn)、反向過流試驗(yàn)

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)一覽：

1、GB/T 26071-2018 太陽能電池用硅單晶片 GB/T 26071-2018

2、GB/T 25074-2017 太陽能級(jí)多晶硅 GB/T 25074-2017

3、GB/T 13388-2009 硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向 X射線測(cè)試方法

4、IEC TS 62804-1:2015 《光伏組件 - 電勢(shì)誘導(dǎo)衰減檢測(cè)的試驗(yàn)方法 第一部分：晶體硅》 4

5、GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測(cè)定方法

6、GB/T 12964-2018 硅單晶拋光片 GB/T 12964-2018

7、GB/T 14142-2017 硅外延層晶體完整性檢驗(yàn)方法 腐蝕法

8、UL1703:2002 平板光伏組件和電池板 24

9、GB/T 26068-2018 硅片和硅錠載流子復(fù)合壽命的測(cè)試 非接觸微波反射光電導(dǎo)衰減法

10、GB/T 14847-2010 重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法

11、GB/T 14140-2009 硅片直徑測(cè)量方法

12、IEC 61215-2（Edition 1.0）:2016 《地面用晶體硅光伏組件-設(shè)計(jì)鑒定和定型 第二部分：測(cè)試程序》 4.7

13、GB/T 25074-2017 太陽能級(jí)多晶硅 4.2

14、GB/T 26071-2018 太陽能電池用硅單晶片 5.7

15、IEC 61701-2011 光伏組件鹽霧腐蝕試驗(yàn)

16、SEMI V1-0709 高分辨率輝光放電質(zhì)譜法測(cè)量太陽能電池硅材料中痕量元素的方法

17、GB/T 12963-2014 電子級(jí)多晶硅 4.2.2

18、GB/T 1555-2009 半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法 GB/T 1555-2009

19、IEC TS 62804-1: 2015 《光伏組件-電勢(shì)誘導(dǎo)衰減檢測(cè)的試驗(yàn)方法 第一部分：晶體硅》 4

20、IEC61215-2:2016 地面用光伏組件-設(shè)計(jì)鑒定和定型 第2部分:試驗(yàn)程序 MQT07

檢測(cè)時(shí)間周期

一般3-10個(gè)工作日（特殊樣品除外），具體請(qǐng)咨詢客服。

檢測(cè)報(bào)告用途

商超入駐、電商上架、內(nèi)部品控、招投標(biāo)、高校科研等。

如果您對(duì)產(chǎn)品品質(zhì)和安全性能有嚴(yán)格要求，不妨考慮選擇我們的檢測(cè)服務(wù)。讓我們助您一臂之力，共創(chuàng)美好未來。

檢測(cè)流程

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考，更多其他檢測(cè)內(nèi)容請(qǐng)咨詢客服。