集成電路（模擬開關）檢測檢驗哪些項目？檢測標準是什么？我們嚴格按照標準進行檢測和評估，確保檢測結果的準確性和可靠性。同時，我們還根據客戶的需求，提供個性化的檢測方案和報告，幫助廠家更好地了解產品質量和性能。

檢測項目（參考）：

導通態(tài)漏電流、導通電阻、截止態(tài)源極漏電流、截止態(tài)漏極漏電流、電源電流、輸入低電平電流、輸入鉗位電壓、輸入高電平電流、輸出低電平電壓、輸出高電平電壓、導通態(tài)漏電流IDS(on)、導通電阻Ron、導通電阻路差ΔRon、截止態(tài)源級漏電流IS（off）、截止態(tài)漏極漏電流ID（off）、輸入低電平電流I_{IL、輸入高電平電流IIH、靜態(tài)工作電源電流IDD、關斷時間、導通電阻溫度漂移率、導通電阻路差、導通電阻路差率、開啟時間、通道轉換時間、開啟時間/關斷時間、截止態(tài)漏極漏電流/截止態(tài)源極漏電流、功能測試、模擬電壓工作范圍、雙向開關截止電流、導通態(tài)漏電流IDS（on）、導通電阻路差△Ron、截止態(tài)漏電流ID（off）、導通態(tài)漏電流IDS(on)、導通電阻Ron、導通電阻路差△Ron、截止態(tài)源極漏電流IS(off)、截止態(tài)漏極漏電流ID(off)、輸入低電平電流IIL、輸入高電平電流IIH、靜態(tài)工作電源電流、導通態(tài)漏電流 IDS(on)、導通電阻 RON、導通電阻路差 △RON、截止態(tài)源極漏電流IS(off)、截止態(tài)漏極漏電流ID(off)、輸出低電平電壓 VOL、輸出高電平電壓 VOH、靜態(tài)條件下的電源電流 IDD、導通電阻RON、截止態(tài)源極漏電流IS（OFF）、截止態(tài)漏極漏電流ID（OFF）、邏輯端輸入電流、導通態(tài)漏電流 IDS(on)、導通電阻 RON、截止態(tài)源極漏電流 IS(off)、截止態(tài)漏極漏電流 ID(off)、靜態(tài)條件下的電源電流、導通態(tài)漏電流IDS(on)、導通電阻Ron、導通電阻路差△Ron、截止態(tài)源極漏電流IS(off)、截止態(tài)漏極漏電流ID(off)、截止態(tài)源極漏電、導通態(tài)漏極漏電流、電源電流IDD、輸出高電平電壓VOH、輸出低電平電壓VOL}

檢測標準一覽：

1、SJ/T 10741-2000 半導體集成電路CMOS電路測試方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

2、GB/T 14028-2018 半導體集成電路模擬開關測試方法 2.6

3、GB/T 17574-1998 《半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路 第IV篇》 GB/T 17574-1998

4、GB/T 14028-1992 半導體集成電路模擬開關測試方法的基本原理 條款2.6

5、GB/T 17940-2000 半導體器件 集成電路 第3部分：模擬集成電路 第III篇第6節(jié) 5.1.1

6、GB/T14028-2018 半導體集成電路模擬開關測試方法 5.6

7、GB/T17574-1998 第Ⅳ篇/第2節(jié)/2 半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路 第Ⅳ篇/第2節(jié)2

8、GB/T14028-2018/ 半導體集成電路模擬開關測試方法的基本原理 5.4

9、GB/T 14028-2018 半導體集成電路模擬開關測試方法 GB/T 14028-2018

10、GB/T 17574-1998 半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路 GB/T17574-1998

11、GB/T 17940-2000 半導體器件 集成電路 第3部分：模擬集成電路 GB/T 17940-2000

12、SJ/T 10741-2000（CMOS） 半導體集成電路CMOS電路測試方法的基本原理 條款5.15

13、GB/T 14028-1992 半導體集成電路模擬開關測試方法的基本原理 GB/T 14028-1992

14、SJ/T10741-2000 5.9 半導體集成電路CMOS電路測試方法的基本原理

15、SJ/T10741-2000 5.10 半導體集成電路CMOS電路測試方法的基本原理

16、GB/T17574-1998 半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路 第Ⅳ篇/第2節(jié)4

檢測時間周期

一般3-10個工作日（特殊樣品除外），具體請咨詢客服。

檢測報告用途

商超入駐、電商上架、內部品控、招投標、高?？蒲械?。

如果您對產品品質和安全性能有嚴格要求，不妨考慮選擇我們的檢測服務。讓我們助您一臂之力，共創(chuàng)美好未來。

檢測流程

溫馨提示：以上內容僅供參考，更多其他檢測內容請咨詢客服。