鋼薄壁聲測(cè)管檢驗(yàn)測(cè)試機(jī)構(gòu)
2024-11-15
光耦合器檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)是什么?檢驗(yàn)?zāi)男┲笜?biāo)?檢測(cè)周期多久呢?測(cè)試哪些項(xiàng)目呢?我們只做真實(shí)檢測(cè)。我們嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行檢測(cè)和評(píng)估,確保檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。同時(shí),我們還根據(jù)客戶的需求,提供個(gè)性化的檢測(cè)方案和報(bào)告,幫助廠家更好地了解產(chǎn)品質(zhì)量和性能。
反向擊穿電壓(二極管)、反向電流(二極管)、正向電壓(輸入二極管)、正向電流(二極管)、輸出截止電流、集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓、集電極-發(fā)射極飽和電壓、X射線檢查、內(nèi)部氣體成份分析、內(nèi)部目檢、剪切強(qiáng)度、外部目檢、密封、掃描電子顯微鏡(SEM)檢查、粒子碰撞噪聲檢測(cè)(PIND)、鍵合強(qiáng)度、掃描電子顯微鏡(SEM)檢查、電流傳輸比、集電極-發(fā)射極擊穿電壓、正向電壓、邏輯低電壓水平、反向電流、發(fā)射極-基極擊穿電壓、發(fā)射極-集電極擊穿電壓、集電極-發(fā)射極截止電流、集電極-基極擊穿電壓、集電極-基極截止電流、粒子碰撞噪聲檢測(cè)(PIND)、外觀檢查、高溫試驗(yàn)、回波損耗、高低溫循環(huán)試驗(yàn)、低溫試驗(yàn)、正向壓降、反向截止電流、飽和電壓、反向擊穿電壓
1、SJ2215.2-1982 半導(dǎo)體光耦合器(二極管)正向壓降的測(cè)試方法SJ 2215.2-1982
2、GB/T 15651.3-2003 半導(dǎo)體分立器件和集成電路第5-3部分:光電子器件測(cè)試方法 5.1
3、GJB 4027A-2006 **電子元器件破壞性物理分析方法 1201
4、GB/T 4587-1994 半導(dǎo)體分立器件和集成電路第7部分:雙極型晶體管 GB/T 4587-1994
5、GB 12565-1990 半導(dǎo)體器件光電子器件分規(guī)范 表D1
6、SJ2215.8-1982 半導(dǎo)體光耦合器輸出飽和壓降的測(cè)試方法SJ 2215.8-1982
7、GJB4027A-2006 **電子元器件破壞性物理分析 工作項(xiàng)目1201第2.7條
8、GB 12565-1990 半導(dǎo)體器件光電子器件分規(guī)范 GB 12565-1990
9、YD/T 1117-2001 全光纖型分支器件技術(shù)條件 YD/T 1117-2001
10、GB 12565-1990 半導(dǎo)體器件光電子器件分規(guī)范 附錄D表D1
11、GJB 128A-97 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 方法 2076
12、SJ2215.9-1982 半導(dǎo)體光耦合器(三極管)反向截止電流的測(cè)試方法 SJ 2215.9-1982
13、GB/T 6571-1995 半導(dǎo)體器件分立器件第3部分:信號(hào)(包括開關(guān))和調(diào)整二極管 第IV第1節(jié)1
14、SJ/T 2215-2015 半導(dǎo)體光耦合器測(cè)試方法 SJ/T2215-2015
15、GB 12565-1990 半導(dǎo)體器件光電子器件分規(guī)范 GB 12565-1990
16、GJB 548B-2005 微電子器件試驗(yàn)方法和程序 方法 2018.1
17、GB/T 15651.3-2003 半導(dǎo)體分立器件和集成電路第5-3部分:光電子器件測(cè)試方法 GB/T 15651.3-2003
18、SJ2215.7-1982 半導(dǎo)體光耦合器集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓的測(cè)試方法SJ 2215.7-1982
19、SJ2215.4-1982 半導(dǎo)體光耦合器(二極管)反向電流的測(cè)試方法 SJ 2215.4-1982
20、YD/T1117-2001 全光纖型分支器件技術(shù)條件
一般檢測(cè)報(bào)告上會(huì)標(biāo)注實(shí)驗(yàn)室收到樣品的時(shí)間、出具報(bào)告的時(shí)間。檢測(cè)報(bào)告上不會(huì)標(biāo)注有效期。常規(guī)來說只要測(cè)試沒更新,測(cè)試不變檢測(cè)報(bào)告一直有效。如果是用于過電商平臺(tái),一般他們只認(rèn)可一年內(nèi)的。所以還要看平臺(tái)或買家的要求。
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