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半導(dǎo)體設(shè)備保護用熔斷器檢驗測試機構(gòu)

2024-12-02

半導(dǎo)體設(shè)備保護用熔斷器檢測報告如何辦理?檢測哪些項目?我們嚴格按照標準進行檢測和評估,確保檢測結(jié)果的準確性和可靠性。同時,我們還根據(jù)客戶的需求,提供個性化的檢測方案和報告,幫助廠家更好地了解產(chǎn)品質(zhì)量和性能。

檢測項目(參考):

I2t特性和過電流選擇性驗證、分斷能力驗證、動作驗證、總則、截斷電流特性驗證、機械試驗及其它試驗、標志、溫升與耗散功率驗證、絕緣性能和隔離適用性驗證、耐熱性驗證、觸頭不變壞驗證、部分參數(shù)、溫升和耗散功率、約定不熔斷電流、約定熔斷電流、約定電纜過載保護、過載能力驗證、額定電流驗證

檢測標準一覽:

1、IEC 60269-4:2009+A1:2012+A2:2016、 EN60269-4:2009+A1:2012+A2:2016 低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護用熔斷體的補充要求 IEC60269-4:2009+A1:2012+A2:2016、 EN60269-4:2009+A1:2012+A2:2016

2、GB/T13539.4-2016 IEC 60269-4:2012 低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護用熔斷體的補充要求 8.7

3、GB/T13539.4-2016 IEC 60269-4:2012、 IEC60269-4:2009+A1:2012+A2:2016、 EN60269-4:2009+A1:2012+A2:2016 低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護用熔斷體的補充要求

4、IEC60269-4:2009+A1:2012+A2:2016、 EN60269-4:2009+A1:2012+A2:2016 低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護用熔斷體的補充要求 8.7

5、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012 低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護用熔斷體的補充要求 GB/T13539.4-2016 IEC 60269-4:2012

6、GB/T 13539.4-2016 IEC60269-4:2012 低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護用熔斷體的補充要求

檢測報告用途

商超入駐、電商上架、內(nèi)部品控、招投標、高校科研等。

檢測報告有效期

一般檢測報告上會標注實驗室收到樣品的時間、出具報告的時間。檢測報告上不會標注有效期。

檢測時間周期

一般3-10個工作日(特殊樣品除外),具體請咨詢客服。

檢測流程

檢測流程

溫馨提示:以上內(nèi)容僅供參考,更多其他檢測內(nèi)容請咨詢客服。

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